Захранващ електронен субстрат

Захранващ електронен субстрат

Субстратите за силова електроника са вид материал, използван при конструирането на силови електронни компоненти като силови модули, инвертори и преобразуватели. Те обикновено са направени от керамика или друг високотемпературен материал, който осигурява здрава, висока топлопроводимост и надеждна електрическа изолация. Тези субстрати са проектирани да осигурят необходимата поддръжка и термично управление на силови електронни компоненти, което им позволява да работят ефективно и надеждно.

Силовите електронни субстрати се използват в различни приложения, като моторни задвижвания, системи за възобновяема енергия, електрически превозни средства и други приложения на силова електроника. Те са специално проектирани да работят с приложения с висока мощност, където управлението на топлината е от решаващо значение за ефективната работа. Например, високотемпературна керамика, като алуминиев нитрид (AlN) или силициев карбид, може да провежда топлина до 10 пъти по-добре от метали като мед, което ги прави отлични материали за приложения на захранващи електронни субстрати.

В допълнение към своите свойства за висока температура и топлопроводимост, субстратите за силова електроника предлагат отлична електрическа изолация, която е от съществено значение в силовата електроника. Електроизолационните материали предотвратяват къси съединения и предпазват от повреда от високи напрежения, като гарантират, че силовите електронни компоненти са безопасни и надеждни.

Като цяло, силовите електронни субстрати са основни материали за изграждането на силови електронни компоненти. Техните свойства за висока температура и топлопроводимост, съчетани с отлична електрическа изолация, ги правят идеален избор за приложения в силова електроника, които изискват висока надеждност и ефективно управление на топлината.

Електронният субстрат Torbo® Power

Артикул: Захранващ електронен субстрат

Материал: Si3N4

Цвят: Сив

Дебелина:0,25-1мм

Повърхностна обработка: Двойно полирана

Обемна плътност: 3.24g/㎤

Грапавост на повърхността Ra: 0.4μm

Якост на огъване: (3-точков метод): 600-1000Mpa

Модул на еластичност: 310Gpa

Якост на счупване (IF метод): 6,5 MPa･√m

Топлопроводимост: 25°C 15-85 W/(m･K)

Коефициент на диелектрични загуби: 0,4

Обемно съпротивление: 25°C >1014 Ω･㎝

Якост на разрушаване: DC >15㎸/㎜