Керамичен субстрат от силициев нитрид Si3n4

Керамичен субстрат от силициев нитрид Si3n4

Керамичният субстрат от силициев нитрид Si3n4 е вид усъвършенстван материал, използван в много различни приложения, от електрониката до космическата индустрия. Има уникална комбинация от свойства, които го правят една от най-универсалните и издръжливи налични керамики. Силициевият нитрид е невероятно твърд и здрав материал, което го прави изключително устойчив на износване. Има отлична термична стабилност, което означава, че може да издържа на високи температури, без да влошава или губи свойствата си. В допълнение, той е с висока електрическа изолация, осигурявайки отлична изолация и защита на електрическите компоненти.

Керамичният субстрат от силициев нитрид се използва в различни електронни компоненти, като силови полупроводници и светодиоди (LED), поради отличната си топлопроводимост и свойства за разсейване на топлината. Използва се и в механични приложения, като високоскоростни лагери и режещи инструменти, поради изключителната си здравина и издръжливост. Аерокосмическата промишленост използва керамичен субстрат от силициев нитрид при високотемпературни приложения, като части на турбини, поради неговата отлична устойчивост на термичен удар и устойчивост на окисляване.

Като цяло, керамичният субстрат от силициев нитрид е изключителен материал с широк спектър от приложения. Неговата издръжливост, термична стабилност, електрическа изолация и механична якост го правят популярен избор в много различни индустрии.

Вие сте добре дошли да дойдете в нашата фабрика, за да закупите най-новия продаден, на ниска цена и висококачествен керамичен субстрат от силициев нитрид. Torbo очаква с нетърпение да си сътрудничи с вас.

Керамичният субстрат Torbo®Silicon Nitride Si3n4

Артикул: керамичен субстрат от силициев нитрид Si3n4

Материал: Si3N4

Цвят: Сив

Дебелина:0,25-1мм

Повърхностна обработка: Двойно полирана

Обемна плътност: 3.24g/㎤

Грапавост на повърхността Ra: 0.4μm

Якост на огъване: (3-точков метод): 600-1000Mpa

Модул на еластичност: 310Gpa

Якост на счупване (IF метод): 6,5 MPa･√m

Топлопроводимост: 25°C 15-85 W/(m･K)

Коефициент на диелектрични загуби: 0,4

Обемно съпротивление: 25°C >1014 Ω･㎝

Якост на разрушаване: DC >15㎸/㎜